Calendario e programma corso di Fisica dei Dispositivi Integrati

Sett.	Data	Giorno	Ore	Argomenti
1	2/10	Giov	3	Introduzione, leggi dell'elettrostatica, campo elettrico, potenziale elettrostatico, forza di Lorentz. Conduzione nei metalli, modello di Drude.
1	3/10	Ven	2	Generatore di f.e.m. Conduttivita' e legge di Ohm. Resistenza, capacita', induttanza.
2	9/10	Giov	3	Reti elettriche lineari, teorema di Thevenin, teorema di Norton. Circuito RC. Elementi di struttura della materia, legami cristallini. Strutture cristalline.
2	10/10	Ven	2	Atomo di Rutherford. Corpo nero. Atomo di Bohr. Elementi di meccanica quantistica.
3	16/10	Giov	3	Struttura dell'atomo, numeri quantici. Legame covalente, semiconduttori intrinseci, legge dell'azione di massa. Semiconduttori drogati tipo p e tipo n.
3	17/10	Ven	2	Conduzione nei semiconduttori, corrente di deriva. Modello a bande di energia. Isolanti, semiconduttori, metalli.
4	23/10	Giov	3	Distribuzione di Fermi-Dirac, livello di Fermi. Corrente di diffusione, equazione di continuita'.
4	24/10	Ven	2	Effetto Hall. Giunzione p-n: zona di svuotamento, potenziale di contatto. Diodo: polarizzazione diretta e inversa.
5	30/10	Giov	3	Giunzione p-n: bande di energia. Potenziale di contatto: modello diodo reale. Modello giunzione a gradino, calcolo del potenziale di contatto e larghezza della zona di svuotamento.
5	31/10	Ven	2	Studio delle correnti: derivazione del modello diodo ideale. Diodo reale: caratteristica tensione-corrente. Applicazioni del diodo: circuiti raddrizzatori, clamper, duplicatore, ponte di Graetz. Diodo Zener.
6	6/11	Giov	3	Capacita' della giunzione inversa. Diodo varicap. Capacita' della giunzione diretta, tempo di commutazione. Diodo tunnel. Diodo Schottky. Memristor. Esercizi microcap : introduzione, descrizione del programma, qualche esempio. RC analisi temporale, diodo analisi DC, circuito raddrizzatore analisi temporale.
6	7/11	Ven	2	Dispositivi optoelettronici: fotodiodo, diodo p-I-n, LED, cella fotovoltaica, diodo laser, laser a cascata quantica.
7	13/11	Giov	3	Transistor bipolare a giunzione (BJT): polarizzazione normale, barriera di potenziale, bande di energia: distribuzione delle correnti, montaggio a base comune e parametro alfa.
7	14/11	Ven	2	BJT montaggio ad emettitore comune e guadagno in corrente, derivazione equazioni Ebers-Moll. BJT: caratteristiche uscita/ingresso base comune, emettitore comune, collettore comune.
8	20/11	Giov	3	BJT: effetto Early, Ebers-Moll modello completo; interruttore, invertitore, RTL, sorgente di corrente.
8	21/11	Ven	2	Reazione di emettitore, reazione di collettore, valori tipici delle tensioni, cut-off, saturazione; tempi di risposta.
9	27/11	Giov		NO
9	28/11	Ven		NO
10	4/12	Giov		INAUGURAZIONE ANNO ACCADEMICO
10	5/12	Ven	2	BJT regime sinusoidale per piccoli segnali: amplificatore a base comune, emettitore comune, collettore comune, parametri ibridi BJT. Transistor a effetto di campo a giunzione (JFET) : principio di funzionamento.
11	11/12	Giov	3	JFET: caratteristiche tensione corrente. MOSFET: principio di funzionamento, caratteristiche tensione-corrente, transconduttanza, resistenza di drain.Esercizi microcap: BJT analisi DC, FET analisi DC.
11	12/12	Ven	2	FET regime sinusoidale per piccoli segnali. Confronto JFET et MOSFET; polarizzazione JFET, amplificatore source comune, drain comune, gate comune; resistenza comandata da tensione. Interruttore; invertitore JFET; invertitore MOSFET.
12	18/12	Giov	3	Logica n-MOS, logica CMOS. CMOS: analisi della caratteristica ingresso-uscita, porta logica NOT. Esercizi microcap: invertitore BJT analisi dinamica, n-MOS e p-MOS analisi DC, invertitore n-MOS analisi dinamica, invertitore CMOS analisi dinamica.
12	19/12	Ven	2	Porte logiche CMOS.
13	8/01	Giov	3	Dispositivi display, OLED, LCD.